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非線性晶體
KD*P 電光Q開關(guān)

波前畸變:< λ / 8 @ 633nm

平面度:< λ / 8 @ 633nm

平行度:< 20 arc sec

垂直度:< 5 arc min

表面光潔度:< 10-5(Scratch-Dig)

消光比:>1000:1 

應(yīng)用光譜范圍:240-1400 mm


  • 產(chǎn)品描述
  • 產(chǎn)品特征
  • 產(chǎn)品曲線

KD*P 插入損耗低,無應(yīng)力,電光效應(yīng)性能好,并且轉(zhuǎn)換效率高,是一種性能優(yōu)異的電光材料,常應(yīng)用于低重復(fù)頻率的脈沖固體激光器中。通過采用含氘量大于98%的磷酸二氘鉀晶體縱向效應(yīng)制成電光Q開關(guān),從檢測(cè)指標(biāo)優(yōu)異的DKDP毛坯中選取消光比高,均勻性好的晶體區(qū)域,制成圓柱狀器件,在側(cè)面加電極,用于產(chǎn)生縱向電場(chǎng),外殼采用封閉式設(shè)計(jì),并通過防水實(shí)驗(yàn)。


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